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半導體工（gōng）藝方法和半（bàn）導體工藝設備與流程
發布時間：
2023-04-14
在自動化半導體生產線上，半（bàn）導體工藝（yì）設備（bèi）(如，立式熱處理爐)的控製係（xì）統通常以任務(job)為單位控製（zhì）半導體工藝組件(例如，可包括（kuò）反應腔室、機（jī）械手等)完成半導體工藝（yì），即，控製係統逐（zhú）個任務地執行半導體工藝，每（měi）一晶圓加工任務的任務信息均包括晶圓傳入反應腔室至完成工藝後傳出工藝腔室的整（zhěng）個加工工序的流程信息（xī）。
例如（rú），晶圓加工任務信息可以包含傳輸配方(load map recipe)和工藝配方(process recipe)，其中，傳（chuán）輸配方包含晶圓(wafer)的傳輸路徑以及各工位的位置分布情況（kuàng）等，工藝配（pèi）方為（wéi）涉及晶圓加工工藝的指令集合，用戶可以通過編（biān）輯工藝配方中的各工藝步(step)來設置加工晶圓的必要控製條件，如溫度、氣體、壓力、時間等，使（shǐ）晶圓的表麵上形成所（suǒ）需的薄（báo）膜。
隨著半導體工藝設備（bèi）所執行的晶圓加工任務逐漸（jiàn）增加，反應腔室(如，立式熱處理爐的爐管)內（nèi）部沉（chén）積的薄膜厚度（dù）也隨（suí）之增加，因此為避免該薄膜影響半導體工藝的正常進行，通常需每（měi）隔一段時間對反應（yīng）腔室內部進（jìn）行清潔，以保證晶圓成膜的合格率（lǜ）和（hé）設備的使用壽命。
具體地，工作人員在觀測到反應腔室內部沉積的薄膜厚度較厚時，對控製係統進行手動操作，使控製（zhì）係統在完成當前晶圓加工任務後（hòu），控製半導體工藝組件執行腔（qiāng）室清潔任務，而後再手動操（cāo）作（zuò）控製（zhì）係（xì）統，使之繼續控製半導體工藝組件執行下一晶圓加（jiā）工任務。
該腔室清潔任（rèn）務的信息可（kě）包含清潔工藝配方(purge recipe)，具體可（kě）包含將晶舟(boat)升至爐管(tube)的頂端（duān），使爐管處於封閉狀態（tài），並（bìng）向封（fēng）閉的爐管環境中通入特殊氣體，進而通過物理或化學方式將爐管內（nèi）壁和晶舟表麵的雜質去除並排出的一（yī）係列指令集合。
然而，在現有技術中，不僅反（fǎn）應腔室內部沉積（jī）的薄膜厚度需要人工觀測、記（jì）錄，腔室清潔任（rèn）務前後也需要操作（zuò）人員手動（dòng）操作控製（zhì）係統改變任務狀態，不僅容易存在較大的人為記錄誤差，還（hái）需（xū）要耗（hào）費大（dà）量人力及人工（gōng）操作時間，延長了停工時間(downtime)和維（wéi）護保養（yǎng）時間(maintenancetime)，影響半導體工藝生產線的生產節奏。
因（yīn）此，如何提供一種能夠實現自動化清潔反應腔（qiāng）室的半（bàn）導體工藝方法（fǎ）及半導體工藝設（shè）備，成為本領域亟待解決的技術問題。
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